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机译:用离轴电子全息术评价Gap核壳纳米线pn结中的掺杂
Yazdi, Sadegh; Berg, A.; Kasama, Takeshi; Beleggia, Marco; Borgström, M. T.; Wagner, Jakob Birkedal;
机译:掺杂GaP核壳纳米线pn结:离轴电子全息术的研究
机译:使用离轴电子全息图在Si纳米线的轴向p-n结上绘制静电分布图
机译:硅纳米线:掺杂的p-n结和偏置的肖特基势垒的电子全息研究
机译:核-壳pn结中的n掺杂InGaP纳米线壳
机译:使用离轴电子全息图表征磁性纳米结构。
机译:细菌细胞和液体中磁性纳米粒子的离轴电子全息
机译:通过离轴电子全息术在GaAs纳米线中的P-N结映射静电电位
机译:用于例如纳米线的PN结形成方法。 LED涉及极化导体元件,以便在纳米线中创建区域,其中区域包括在其间具有PN结的导电性载体
机译:光电发光器件(即基于氮化镓的LED)具有p掺杂的平面化层,允许径向注入纳米线中的空穴,以及n型硅衬底,允许轴向注入纳米线中的电子
机译:异质结引脚光电二极管数据传输,即高速光学数据传输,具有由带隙高的p掺杂砷化铟铝制成的掺杂窗口层,以及由n或p掺杂的磷化铟制成的保护涂层
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